PHIGENESIS Model 900 for HAXPES
无需溅射刻蚀的深度探索
下一代透明发光材料使用直径约为10nm~50nm 的纳米量子点(QDs)，结合使用 XPS(Al Ka X射线)和 HAXPES(Cr Ka x射线)对同一微观特征区域进行分析，可以对 QDs 进行详细的深度结构分析。
XPS 和HAXPES 的结合使用，可以对纳米颗粒进行深度分辨、定量和化学态分析，从而避免离子束溅射引起的损伤。
硬X射线光电子能谱仪HAXPES深层界面的分析
在两种x射线源中，只有 Cr Ka XPs 能探测到 Y0,下方距离表面 14nm 处的 Cr层。拟合后的谱图确定了 Cr 的化学态。另外，通过比较，光电子起飞角90°和30°的 Cr Ka 谱图结果发现在较浅(表面灵敏度更高)的起飞角时，氧化物的强度较高，表明 Cr 氧化物处于 Y,0,和 Cr 层之间的界面。
PHIGENESIS Model 900 for HAXPES
无需溅射刻蚀的深度探索
下一代透明发光材料使用直径约为10nm~50nm 的纳米量子点(QDs)，结合使用 XPS(Al Ka X射线)和 HAXPES(Cr Ka x射线)对同一微观特征区域进行分析，可以对 QDs 进行详细的深度结构分析。
XPS 和HAXPES 的结合使用，可以对纳米颗粒进行深度分辨、定量和化学态分析，从而避免离子束溅射引起的损伤。
硬X射线光电子能谱仪HAXPES深层界面的分析
在两种x射线源中，只有 Cr Ka XPs 能探测到 Y0,下方距离表面 14nm 处的 Cr层。拟合后的谱图确定了 Cr 的化学态。另外，通过比较，光电子起飞角90°和30°的 Cr Ka 谱图结果发现在较浅(表面灵敏度更高)的起飞角时，氧化物的强度较高，表明 Cr 氧化物处于 Y,0,和 Cr 层之间的界面。
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