施耐德控制单元BLH3.625.175控制逻辑与调速原理
高压变频器的调速核心基于电机转速公式同时，为保证电机磁通恒定（避免磁饱和或效率下降），需使输出电压与频率成比例（即
V/f
控制），这一过程由控制系统实时调节
功率单元：是构成高压变频器主回路的主要部分，由整流桥、可控硅、电解电容、IGBT 等组成。其作用是通过整流、滤波、逆变等过程，将输入的高压交流电转变为频率可调的交流电输出。
整流桥：功率单元中的关键部件，内部封装有整流二极管，用于将交流变成直流。根据封装形式和应用场景不同，内部二极管数量和连接方式有所不同，常用的电压等级有 1400V、1800V。
可控硅：使用在功率单元的充电电路和旁通回路上，起 “开关” 作用，常用的电压等级有 1400V、1800V。
电解电容：对整流桥整流后的直流进行滤波，以确保直流电压的稳定，常见的电压等级为 400V，容量有 3300μF、6800μF、10000μF 等。
IGBT：用于将直流变为交流，实现逆变功能。大部分 IGBT 为 “双管” 结构，常用的电压等级有 1200V、1700V，电流等级有 75A、100A、150A 等。
单元电源板：从功率单元直流母线上取电，输出 24V 直流电源供单元控制板使用。
单元控制板：接收主控系统信号，给驱动板提供控制信号，同时进行实时故障监测，并向主控系统上报故障信息，还负责给单元驱动板供电。
单元驱动板：接收单元控制板的控制信号，为单元上的四路 IGBT 提供驱动信号，同时对驱动故障进行监测，上报单元控制板。
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