kSA 400 RHEED分析系统

　　kSA 400 RHEED分析系统，适合各种RHEED系统和薄膜沉积系统（如：脉冲激光沉积设备PLD,溅射系统Sputtering,分子束外延MBE, 金属有机化学气象沉积MOCVD等）！目前第四代系统结合优质的硬件和软件，为客户提供丰富的RHEED分析信息。
kSA 400 RHEED分析系统 超过500个用户，国内如南京大学、中科院半导体所、电子部11所、中国科技大学、复旦大学、上海技术物理研究所等；
技术参数：
CCD系统：高速、高分辨和高灵敏度
光学系统：RHEED定量分析及成像分析
标准接口法兰
主要特点：
图像分析：单一图像分析（静态分析）模式，用户选择多图像模式，聚焦模式，扫描模式，录像模式，交互图像叠加模式，2D和3D图像分析；
实时衍射条纹演化监控拍摄；
实时薄膜沉积速率测量；
原位表面诊断分析
功能强大的软件分析功能
RHEED振荡追踪检测
可扩展：Phase Locked Epitaxy (PLE), LEED, Auger/XPS,电子枪控制和摇摆曲线扫描；
专业的RHEED分析系统(kSA 400 Analytical RHEED System)，适合各种RHEED系统和薄膜沉积系统（如：脉冲激光沉积设备PLD,溅射系统Sputtering,分子束外延MBE, 金属有机化学气象沉积MOCVD等）！目前第四代系统结合优质的硬件和功能强大的软件为客户提供广泛的RHEED分析信息。kSA 400 RHEED分析系统，适合各种RHEED系统和薄膜沉积系统（如：脉冲激光沉积设备PLD,溅射系统Sputtering,分子束外延MBE, 金属有机化学气象沉积MOCVD等）！目前第四代系统结合优质的硬件和软件，为客户提供丰富的RHEED分析信息。
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